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Si3500
6
Rev. 1.1
Table 5. Electrical Characteristics
Parameter
Description
Min
Typ
Max
Unit
Current Limit
1
Inrush

140

 mA
Operating
400
525

mA
Hotswap FET On-Resistance +
R
SENSE
0.5

1.5
W
Switcher Frequency

350

kHz
Maximum Switcher Duty Cycle
ISOSSFT connected to
VDD

50

%
Switching FET On-Resistance
0.3

0.86
W
Regulated Feedback @ pin FB
2
DC Avg.

1.23

V
Regulated Output Voltage Tolerance
2
Output voltage tolerance
@ VOUT
 5

5
%
VDD accuracy @ 0.8 mA
42 V <
 VPOS <
 57 V
4.5

5.5
V
Softstart charging current
Non-isolated

25

礎
Isolated

13

礎
Thermal Shutdown
Junction temperature

160

癈
Thermal Shutdown Hysteresis


25
癈
Notes:
1.  At turn-on, before the HSO load capacitor is charged, the current limit is set at the inrush level. After the capacitor has 
been charged within ~1.25 V of VNEG, the operating current limit is engaged. This higher current limit remains active
until the UVLO lower limit has been tripped or until the hotswap switch is sufficiently current-limited to cause a foldback
of the HSO voltage.
2. Applies to non-isolated applications only (VOUT on schematic in Figure 1).
Table 6. Total Power Dissipation
Description
Condition
Min
Typ
Max
Units
Power Dissipation
VIN = 50 V, VOUT = 5 V, 2 A

0.7

W
Table 7. Package Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Test Condition
Typ
Units
Thermal resistance
(junction to ambient)
q
JA
Still air; assumes a minimum of
nine thermal vias are connected
to a 2 in
2
 heat spreader plane for
the package pad node
(VNEG).
44
癈/W
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